Новости Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) , страница 1 из 4

Демонстрационная плата 16 Вт 2-канального импульсного источника питания на основе контроллера Infineon ICE5QR4780AZ со встроенным 800 В MOSFET
| Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Поможет пользователю создать прототип SMPS на базе обратноходового квази-резонансного ШИМ регулятора с диапазоном входных напряжений 85 В AC - 300 В AC, КПД > 84%, комплексной защитой и реакцией на динамическое изменение нагрузки в предела 10% - 100% не более ±5% от номинального выходного напряжения.

Отладочный комплект на основе ARM Cortex-M0 микроконтроллера Infineon семейства XMC1000
| Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Пользователь сможет оценить функциональные возможности МК XMC1404-Q064X0200 с удельной производительностью 0.84 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) на частоте 48 MHz и математическим сопроцессором, и построить прототип изделия для индустриальных приложений реального времени: управление двигателем, цифровые преобразователи питания и т.п. Интерфейсы МК также хорошо подойдут для реализации промышленного светодиодного освещения, HMI и др.

IPM-модули для маломощных силовых устройств
| Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Понятие «энергосбережение» применимо ко всем электрическим системам, в том числе – и к маломощным силовым устройствам. Современная тенденция – переход к устройствам на базе инверторов напряжения. Кроме того, уменьшение веса и размера проектируемых систем всегда представляет интерес. Сейчас растет популярность решений, не использующих радиатор. В данной статье рассматриваются силовые схемы без радиаторов на базе IPM-DIP производства Infineon.

Прорыв в технологиях широкозонных материалов предвещает начало масштабного внедрения SiC
| Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
SiC

Карбид кремния давно считается перспективнейшим материалом электроники. Но, кажется, только теперь индустрия действительно подошла вплотную к внедрению его в массовое производство. И в первых рядах этого процесса вновь стоит компания Infineon, как некогда стояла в авангарде этой технологии, когда она только появилась.

Оценочная плата импульсного источника питания на основе контроллера Infineon ICE3AR4780JG
| Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Дает возможность пользователю изготовить прототип 12 В 1 А SMPS с универсальным входом 85 В … 282 В AC, потреблением на холостом ходу 75 мВт и уровнем кондуктивных помех до 9 дБ (EN55022 class B).

Оценочная плата квазирезонансного обратноходового преобразователя с универсальным входом и выходом 12 В 12 Вт
| Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

DEMO2QR4780GTOBO1 – оценочная плата квазирезонансного обратноходового преобразователя с универсальным входом и выходом 12 В 12 Вт на основе чипа ICE2QR4780G серии CoolSET™-Q1 от Infineon. Микросхема обеспечивает высокую эффективность, очень низкое энергопотребление в режиме ожидания и различные режимы защиты для создания высоконадежных систем.

Отладочный набор KITXMC43RELAXECATV1 на основе микроконтроллера Infineon с интегрированным узлом EtherCAT®

KITXMC43RELAXECATV1TOBO1 - отладочный набор на основе 32-разрядного высокопроизводительного и энергоэффективного ARM Corterx-M4 микроконтроллера XMC4300-F100K256 с интегрированным узлом EtherCAT® и возможностью работы с аналоговыми/ смешанными сигналами.

Оценочная плата синхронного понижающего DC-DC преобразователя IR3883 от Infineon
| Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IRDC3883 - оценочная плата на основе синхронного понижающего (buck) DC-DC преобразователя IR3883, сконфигурированная для работы в диапазоне входных напряжений 5 В…12 В. Встроенный ШИМ контроллер и транзисторы MOSFET делают его эффективным решением (экономия пространства), способным обеспечить высокую точность выходных параметров.

Материалы вебинара "Практикум построения высокоэффективных ККМ на компонентах INFINEON"
| Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

В начале октября нашим партнером, компанией Компэл, совместно с компанией Infineon проводился вебинар, посвященный построению высокоэффективных ККМ на компонентах Infineon. Для тех, кто не смог принять участие в вебинаре-практикуме, размещаем материалы.

Семейства транзисторов MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 и отладочные средства для них. Краткий обзор. Часть 2
| Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Транзисторы MOSFET 700V CoolMOS™ P7 разработаны для удовлетворения сегодняшних и, особенно, завтрашних тенденций в обратноходовой топологии. Предлагая фундаментальный прирост производительности по сравнению с superjunction технологией, используемые сегодня новые 700 В транзисторы серии CoolMOS™ P7 адресованы, прежде всего, рынку маломощных импульсных источников питания, таких как зарядные устройства мобильных телефонов, адаптеры ноутбуков, источники питания ТВ, освещения, аудио и др.

Высокоэффективные низковольтные MOSFET семейства OptiMOS 5 – где применять?
| Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

В пятом номере «Новостей электроники» мы писали о выборе транзистора из линейки OptiMOS™ производства Infineon для синхронных импульсных преобразователей, исходя из оптимального соотношения потерь проводимости и переключения. Если добавить к этому требование минимизации площади, занимаемой транзистором на печатной плате, и сокращения энергетических потерь – следует обратить внимание на новую серию OptiMOS™ 5.

Вебинар «Практикум построения высокоэффективных ККМ на компонентах INFINEON» (04.10.2017)
| Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Компания Терраэлектроника приглашает всех желающих принять участие в вебинаре, посвященном разработке высокоэффективных корректоров коэффициента мощности (ККМ) на основе компонентов Infineon. Мероприятие проводит наш партнер компания Компэл совместно с компанией Infineon. Вебинар состоится 4 октября 2017 г.

600 В CoolMOS™ P7 от Infineon: тестируем эффективность в реальных схемах
| Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Линейка МОП-транзисторов CoolMOS™ P7 с рабочим напряжением 600 В является преемником серии CoolMOS™ P6 и предназначена для использования в импульсных источниках питания как малой, так и большой мощности. Компания Infineon позиционирует технологию CoolMOS™ P7 как наиболее сбалансированное решение по основным показателям – высокому КПД, устойчивости к стрессовым воздействиям и электростатическому разряду, простоте использования и широкой номенклатуре линейки МОП-транзисторов при умеренной стоимости.

Демонстрационная плата 45 Вт адаптера на основе 800 V CoolMOS™ P7 транзистора и квазирезонансного ШИМ контроллера ICE2QS03G
| Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

EVAL45W19VFLYBP7TOBO1 - оценочный набор на основе демонстрационной платы 45 W адаптера. Изделие предназначено для использования в качестве платформы для недорогих зарядных устройств и источников питания. Демонстрационная плата позволяет оценить работу транзистора Infineon IPA80R450P7 серии 800V CoolMOS™ P7 и общий дизайн контроллера.

Оценочная плата и референс-дизайн 3 Вт 5 В изолированного источника питания на основе контроллера Infineon CoolSET™ ICE3RBR4765JG
| Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

REF3WIOTCOOLSETTOBO1 - оценочная плата и референс-дизайн 3 Вт 5 В изолированного источника питания на основе контроллера Infineon CoolSET™ ICE3RBR4765JG. Плата имеет низкую потребляемую мощность в режиме ожидания (менее 13 мВт) и предназначена для приложений интернета вещей (IoT) и аналогичного применения.

Источник питания 34 Вт 12 В, выполненный по топологии обратноходового преобразователя на основе контроллера Infineon ICE3AR1080VJZ
| Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

EVALICE3AR1080VJZTOBO1 – оценочная плата источника питания 34 Вт 12 В с универсальным входом. Изделие выполнено по топологии обратноходового преобразователя на основе контроллера Infineon ICE3AR1080VJZ семейства F3R80 CoolSET™. В контроллер ICE3AR1080VJZ интегрирован 800 V CoolMOS™ транзистор и стартовый элемент.

Оценочная плата 20 Вт 5 В импульсного источника питания на основе микросхемы Infineon семейства CoolSETTM ICE2QR2280G-1
| Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

EVAL2QR2280G1TOBO1 – оценочная плата 20 Вт импульсного источника питания, спроектированного по топологии квазирезонансного обратноходового конвертера с использованием микросхемы ICE2QR2280G-1 Quasi-resonant CoolSET™. Чип ICE2QR2280G-1 интегрирует в себе 800 В транзистор CoolMOS со встроенной стартовой ячейкой и квазирезонансный (QR) обратноходовой ШИМ контроллер.

Оценочная плата 28 Вт 12 В импульсного источника питания, выполненного по топологии обратноходового преобразователя на основе контроллера Infineon ICE3AR1080JG
| Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

DEMO3AR1080JGTOBO1 – оценочная плата 28 Вт 12 В импульсного источника питания с универсальным входом, выполненного по топологии обратноходового преобразователя. Изделие разработано и изготовлено на основе контроллера Infineon семейства CoolSET™ F3R80 ICE3AR1080JG.

Оценочный набор на основе платы 600 В полумостового LLC каскада импульсного источника питания сервера
| Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

EVAL600W12VLLCC7TOBO1 - оценочная плата набора является примером построения полумостового LLC каскада импульсного источника питания сервера с целью удовлетворения стандартным требованиям к эффективности (+80). С этой целью в проекте в первом каскаде применен новейший высоковольтный (600В) силовой транзистор MOSFET IPP60R180C7, изготовленный по технологии CoolMOS.

Семейства транзисторов MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 и отладочные средства для них. Краткий обзор. Часть 1
| Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Семейства транзисторов Infineon MOSFET CoolMOS™ P7 с рабочими напряжениями до 700 V и 800 V были разработаны для маломощных импульсных источников питания, основанных на обратноходовой топологии. Новое 600 В семейство транзисторов CoolMOS ™ P7 дополняет портфель изделий, предлагая третий класс напряжения платформы P7, который, в отличие от 700V и 800V, нацелен не только на маломощные, но и мощные SMPS-приложения.